温州芯生代科技有限公司是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓（GaN）外延片研发与制造的高新技术企业，在杭州建有专业的硅基氮化镓外延产线，核心技术团队由多位国际一流半导体专家组成。并于2024年7月成为广汽埃安唯一氮化镓器件供应商。

     公司面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品与面向HMET功率器件的其他衬底相比，GaN-on-Si可实现更大的晶圆尺寸和更多元化的应用，并且可迅速导入FAB厂主流的硅基芯片工艺制程，对提升功率器件良率有其独特优势。通过采用最先进的硅基芯片工艺制程，并与Si CMOS驱动进行高良率的混合集成，利用芯生代科技的850V Cynthus®系列GaN-on-Si外延产品，可开发出650V、900V、以及1200V HEMT产品，特别适用于设计更小、更高效的电源解决方案。

产品具有以下优势：

l 利用独有的零缺陷薄膜制备技术，显著提高了外延层各层薄膜生长的质量，并通过自主研发的高电压控制技术，实现了氮化镓850V 系列外延片的高电压、高稳定性和高质量，意味着氮化镓器件在800伏电驱或其他高压应用上将发挥重要作用。

l 制备出的GaN外延片镜面效果优异，覆盖率达100%，良品率99%以上，半峰宽稳定在450-500arcsec，电压可以达到850V以上，电流密度高达100mA/mm，成功实现了进口替代。 

l 由于新的方法在成本控制方面有显著的优势，该成果还能将制备成本降低到原来的30%，进一步拓展了氮化镓器件在工业领域的应用。